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VNB35N07 MOS(场效应管)

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    VNB35N07 MOS(场效应管)

    VNB35N07 MOS(场效应管)

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

    资质:营业执照

  • 19310

  • ST/意法

  • D2PAK

  • 22+

  • -
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  • 1
VNB35N07 MOS(场效应管) PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
VNB35N07 MOS(场效应管) 技术参数
  • VNB35N07 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 70V 35A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻(最大值):85 mOhms 开启时间(最大值):400 us 关闭时间(最大值):20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流(最大值): 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VNB28N04TR-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻(最大值):85 mOhms 开启时间(最大值):400 us 关闭时间(最大值):20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流(最大值): 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VNB28N04-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 42V 28A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻(最大值):85 mOhms 开启时间(最大值):400 us 关闭时间(最大值):20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流(最大值): 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VNB28N0413TR 功能描述:电源开关 IC - 配电 OMNIFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻(最大值):85 mOhms 开启时间(最大值):400 us 关闭时间(最大值):20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流(最大值): 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VNB28N04 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 42V 28A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻(最大值):85 mOhms 开启时间(最大值):400 us 关闭时间(最大值):20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流(最大值): 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VNB49N04TR-E VNC1L-1A-REEL VNC1L-1A-TRAY VNC2 DEBUG MODULE VNC2-32L1B-REEL VNC2-32L1B-TRAY VNC2-32L1C-REEL VNC2-32L1C-TRAY VNC2-32Q1B-REEL VNC2-32Q1B-TRAY VNC2-48L1B-REEL VNC2-48L1B-TRAY VNC2-48L1C-TRAY VNC2-48Q1B-REEL VNC2-48Q1B-TRAY VNC2-48Q1C-REEL VNC2-48Q1C-TRAY VNC2-64L1B-REEL
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