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VND5E050K 存储IC

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VND5E050K 存储IC 技术参数

VND5E050JTR-E 功能描述:功率驱动器IC DOUBLE CH HI-SIDE DR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5E050J-E 功能描述:功率驱动器IC DBL CH hi side drive RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5E050ASOTR-E 功能描述:功率驱动器IC Double CH High-Side 41V 50mOhm 27A RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5E050AKTR-E 功能描述:功率驱动器IC DOUBLE CH HI-SIDE DR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5E050AK-E 功能描述:功率驱动器IC DOUBLE CH HI-SIDE DR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5E160AJTR-E VND5E160ASOTR-E VND5E160J-E VND5E160JTR-E VND5E160MJ-E VND5E160MJTR-E VND5N07 VND5N07-1 VND5N0713TR VND5N07-1-E VND5N07-E VND5N07TR-E VND5T016ASPTR-E VND5T035AK-E VND5T035AKTR-E VND5T035ASTR-E VND5T035LAK-E VND5T035LAKTR-E