您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

VND5T016ASPTR-E IC

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

VND5T016ASPTR-E IC
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
8000
ST/意法
PWRSO-16
22+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： VND5T035AK-E VND5T035AKTR-E VND5T035ASTR-E VND5T035LAK-E VND5T035LAKTR-E VND5T050AK-E VND5T050AKTR-E VND5T100AJ-E VND5T100AJTR-E

VND5T016ASPTR-E IC PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

VND5T016ASPTR-E IC 技术参数

VND5T016ASPTR-E 功能描述:功率驱动器IC Double CH High-Side 41V 16mOhm 70A RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5N07TR-E 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VND5N07-E 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VND5N07-1-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VND5N0713TR 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VND5T100ATR-E VND5T100LAJTR-E VND600 VND60013TR VND600-E VND600P-E VND600PEP-E VND600PEPTR-E VND600PTR-E VND600SP VND600SP13TR VND600SP-E VND600SPTR-E VND600TR-E VND670SP VND670SP13TR VND7004AYTR VND7012AY-E