供应商
型号
数量
厂商
批号
封装
交易说明
在线询价
QQ咨询
1
VND810-E
参数信息:

功能描述:电源开关 IC - 配电 DOUBLE Ch Hi SIDE DRIVER

RoHS:

制造商:Exar

输出端数量:1

开启电阻(最大值):85 mOhms

开启时间(最大值):400 us

关闭时间(最大值):20 us

工作电源电压:3.2 V to 6.5 V

电源电流(最大值):

最大工作温度:+ 85 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-5

VND810-E技术参数

VND81013TR 功能描述:功率驱动器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND810 功能描述:电源开关 IC - 配电 Double Channel High-Side Driver RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻(最大值):85 mOhms 开启时间(最大值):400 us 关闭时间(最大值):20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流(最大值): 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VND7NV04TR-E 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 6A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VND7NV04-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 42V 6A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻(最大值):85 mOhms 开启时间(最大值):400 us 关闭时间(最大值):20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流(最大值): 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VND7NV04-1-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 42V 6A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻(最大值):85 mOhms 开启时间(最大值):400 us 关闭时间(最大值):20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流(最大值): 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VND810SP-E VND810SPTR-E VND810TR-E VND830 VND83013TR VND830AEP-E VND830AEPTR-E VND830ASP VND830ASP13TR VND830ASP-E VND830ASPTR-E VND830E VND830-E VND830E13TR VND830E-E VND830ETR-E VND830LSP VND830LSP13TR

在采购VND810-E进货过程中遇到问题,您也可以发布紧急采购。

友情提醒:为规避购买VND810-E产品风险,建议您在购买VND810-E相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的VND810-E信息由会员自行提供,VND810-E内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。