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VNQ5E050MK 其他被动元件

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VNQ5E050MK 其他被动元件 技术参数
  • VNQ5E050KTR-E 功能描述:功率驱动器IC QUAD CH HI-SIDE DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNQ5E050K-E 功能描述:功率驱动器IC Quad channel hi side driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNQ5E050AKTR-E 功能描述:功率驱动器IC QUAD CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNQ5E050AK-E 功能描述:功率驱动器IC Quad channel hi side driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNQ5160KTR-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 Quad Ch HiSide Drivr RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻(最大值):85 mOhms 开启时间(最大值):400 us 关闭时间(最大值):20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流(最大值): 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VNQ600 VNQ60013TR VNQ6004SA-E VNQ6004SATR-E VNQ6004S-E VNQ6004STR-E VNQ600A VNQ600A13TR VNQ600AP-E VNQ600APTR-E VNQ600-E VNQ600P-E VNQ600PTR-E VNQ600TR-E VNQ6040S-E VNQ6040STR-E VNQ660SP VNQ660SP13TR
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