VNS3NV04DPTR-E 存储IC

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VNS3NV04DPTR-E 存储IC
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
5000
ST/意法
SOP-8
20+
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VNS3NV04DPTR-E 存储IC 技术参数

VNS3NV04DPTR-E 功能描述:MOSFET OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNS3NV04DP-E 功能描述:功率驱动器IC OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNS3NV04D-E 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNS3NV04D13TR 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNS3NV04D 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNS50-2051 VNS7NV04-E VNS7NV04PTR-E VNS7NV04TR-E VNT50 VNT50F VNV10N07 VNV10N0713TR VNV10N07-E VNV10N07TR-E VNV14N04 VNV14N04-E VNV20N07 VNV20N0713TR VNV20N07-E VNV20N07TR-E VNV28N04 VNV28N04-E