您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > V字母型号搜索 > V字母第3151页 >

VS-8ETH06-N3

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • VS-8ETH06-N3
    VS-8ETH06-N3

    VS-8ETH06-N3

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • VISHAY /

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共3条 
  • 1
VS-8ETH06-N3 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • NICHICON
  • 制造商全称
  • Nichicon corporation
  • 功能描述
  • Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt??
VS-8ETH06-N3 技术参数
  • VS-8ETH03PBF 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:FRED Pt? 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):300V 电流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 300V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:50 VS-86HFR40 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 85A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):85A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 267A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:9mA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 180°C 标准包装:100 VS-86HFR20 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 85A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):85A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 267A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:9mA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 180°C 标准包装:100 VS-86HFR160 功能描述:DIODE GEN PURP 1.6KV 85A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1600V(1.6kV) 电流 - 平均整流(Io):85A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 267A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4.5mA @ 1600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 VS-86HFR120 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 电流 - 平均整流(Io):85A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 267A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:9mA @ 1200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 180°C 标准包装:100 VS-8ETL06FPPBF VS-8ETL06-N3 VS-8ETL06PBF VS-8ETL06SPBF VS-8ETL06STRLPBF VS-8ETL06STRRPBF VS-8ETU04-1HM3 VS-8ETU04-1PBF VS-8ETU04HN3 VS-8ETU04-N3 VS-8ETU04PBF VS-8ETU04SHM3 VS-8ETU04SPBF VS-8ETU04STRLHM3 VS-8ETU04STRLPBF VS-8ETU04STRRHM3 VS-8ETU04STRRPBF VS-8ETU12HN3
配单专家

在采购VS-8ETH06-N3进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买VS-8ETH06-N3产品风险,建议您在购买VS-8ETH06-N3相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的VS-8ETH06-N3信息由会员自行提供,VS-8ETH06-N3内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号