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VND5E050AJTR-E

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功能描述
功率驱动器IC DOUBLE CH HI-SIDE DR W/ANALOG CRRNT SNSE
RoHS
否
制造商
Micrel
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
上升时间
下降时间
电源电压-最大
30 V
电源电压-最小
2.75 V
电源电流
最大功率耗散
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube

VND5E050AJTR-E 技术参数

VND5E050AJ-E 功能描述:功率驱动器IC DOUBLE CH HI-SIDE DR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5E050ACKTR-E 功能描述:功率驱动器IC Double CH High-Side 41V 50mOhm 27A RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5E050ACJTR-E 功能描述:功率驱动器IC Double CH High-Side 41V 50mOhm 27A RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5E025MKTR-E 功能描述:功率驱动器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5E025MK-E 功能描述:功率驱动器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5E050MJ-E VND5E050MJTR-E VND5E050MK-E VND5E050MKTR-E VND5E160AJ-E VND5E160AJTR-E VND5E160ASOTR-E VND5E160J-E VND5E160JTR-E VND5E160MJ-E VND5E160MJTR-E VND5N07 VND5N07-1 VND5N0713TR VND5N07-1-E VND5N07-E VND5N07TR-E VND5T016ASPTR-E