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VNN7NV04PTR-E

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • VNN7NV04PTR-E
    VNN7NV04PTR-E

    VNN7NV04PTR-E

  • 深圳市杰世特电子有限公司
    深圳市杰世特电子有限公司

    联系人:林S

    电话:18927460633

    地址:深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535

  • 0

  • 22+

  • 15000

  • SOT263

  • -
  • 进口原装现货 支持实单价优

  • VNN7NV04PTR-E
    VNN7NV04PTR-E

    VNN7NV04PTR-E

  • 深圳市盛芯世纪科技有限公司
    深圳市盛芯世纪科技有限公司

    联系人:杨先生,www.dz-ic.cn

    电话:0755-8397991513312996395

    地址:深圳市福田区中航路都会100大厦B座6F

    资质:营业执照

  • 50

  • STMICROELECTRONICS

  • STMICROELECTRONICS

  • 21+

  • -
  • 原装正品www.dz-ic.cn

  • VNN7NV04PTR-E
    VNN7NV04PTR-E

    VNN7NV04PTR-E

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-83789203多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 11630

  • ST

  • 原厂原装

  • 18+

  • -
  • 原装正品,优势供应

  • VNN7NV04PTR-E
    VNN7NV04PTR-E

    VNN7NV04PTR-E

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

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  • 50

  • -
  • VNN7NV04PTR-E
    VNN7NV04PTR-E

    VNN7NV04PTR-E

  • 甄芯网
    甄芯网

    联系人:

    电话:0755-836658130755-83465652

    地址:深南中路佳和大厦B座907

  • 0

  • STMicroelectronics

  • TO-261-4,TO-261AA

  • 12+

  • -
  • █原装正品█ 可开17%增票█ 可申请免...

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  • 功能描述
  • MOSFET 40V 6A OMNIFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
VNN7NV04PTR-E 技术参数
  • VNN7NV0413TR 功能描述:功率驱动器IC N-Ch 40V 6A OmniFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNN3NV04TR-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻(最大值):85 mOhms 开启时间(最大值):400 us 关闭时间(最大值):20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流(最大值): 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VNN3NV04PTR-E 功能描述:功率驱动器IC OMNIFET III Low Side 120mOhm 3.5A 40V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNN3NV0413TR 功能描述:功率驱动器IC N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNN1NV04TR-E 功能描述:功率驱动器IC N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNP14N04-E VNP14N04FI VNP14NV04 VNP14NV04-E VNP20N07 VNP20N07-E VNP20N07FI VNP28N04 VNP28N04-E VNP28N04FI VNP35N07 VNP35N07-E VNP35N07FI VNP35NV04 VNP35NV04-E VNP49N04 VNP49N04-E VNP49N04FI
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