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参数资料
| 型号： | V58C2128404SBLT6I |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 4 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66 |
| 文件页数： | 58/60页 |
| 文件大小： | 915K |
| 代理商： | V58C2128404SBLT6I |
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ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2128(804/404/164)SB*I
V58C2128(804/404/164)SB*I Rev. 1.3 March 2006
Block Diagram
Row decoder
Memory array
Bank 0
4096 x 256
x32 bit
Co
lu
m
n
d
e
co
d
e
r
Se
n
s
e
a
m
p
lifie
r&
I(
O
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u
s
Row decoder
Memory array
Bank 1
C
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lu
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de
code
r
S
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ns
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am
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ie
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I
(O)
b
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Row decoder
Memory array
Bank 2
C
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dec
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O
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u
s
Row decoder
Memory array
Bank 3
Co
lu
m
n
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co
d
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S
e
nse
am
pl
if
ie
r&
I(
O)
b
u
s
Input buffer
Output buffer
DQ0-DQ15
Column address
counter
Column address
buffer
Row address
buffer
Refresh Counter
A0 - A11, BA0, BA1
A0 - A8, AP, BA0, BA1
Control logic & timing generator
CK
E
CS
RA
S
CA
S
WE
DM
Row Addresses
Column Addresses
DLL
Strobe
Gen.
Data Strobe
CK, CK
CK
DQS
4096 x 256
x 32 bit
4096 x 256
x 32 bit
4096 x 256
x 32 bit
8M x 16
Capacitance*
TA = -40 to +85°C, VCC = 2.5V ± 0.2V, VCC = 2.6V ±
0.1V for DDR400, f = 1 Mhz
*Note: Capacitance is sampled and not 100% tested.
Absolute Maximum Ratings*
Operating temperature range ............. -40 to +85°C
Storage temperature range ................-55 to 150 °C
VDDSupply Voltage Relative to VSS.....-1V to +3.6V
VDDQ Supply Voltage Relative to VSS
......................................................-1V to +3.6V
VREF and Inputs Voltage Relative to VSS
......................................................-1V to +3.6V
I/O Pins Voltage Relative to VSS
..........................................-0.5V to VDDQ+0.5V
Power dissipation .......................................... 1.6 W
Data out current (short circuit) ...................... 50 mA
*Note: Stresses above those listed under “Absolute Maximum
Ratings” may cause permanent damage of the device.
Exposure to absolute maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
Input Capacitance
Symbol
Min Max Unit
BA0, BA1, CKE, CS, RAS, (CAS,
A0-A11, WE)
CINI
23.0
pF
Input Capacitance (CK, CK)CIN2
23.0
pF
Data & DQS I/O Capacitance
COUT
45
pF
Input Capacitance (DM)
CIN3
45.0
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V58C365164S5 | 4M X 16 DDR DRAM, 0.1 ns, PDSO66 |
| V608ME06 | VCO, 1900 MHz - 2270 MHz |
| V603ME07 | VCO, 1896 MHz - 1924 MHz |
| V6049001 | VCO, 1600 MHz - 2200 MHz |
| V610ME04 | VCO, 1950 MHz - 2150 MHz |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| V58C2128804S | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 128 Mbit DDR SDRAM |
| V58C2256 | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 256 Mbit DDR SDRAM |
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