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参数资料
| 型号： | V59C1G01164QAUF37H |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, PBGA92 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, FBGA-92 |
| 文件页数： | 47/79页 |
| 文件大小： | 1028K |
| 代理商： | V59C1G01164QAUF37H |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页当前第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页
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ProMOS TECHNOLOGIES
V59C1G01(408/808/168)QA
V59C1G01(408/808/168)QA Rev. 1.3 June 2008
Active Power-Down Mode Entry and Exit after an Activate Command
Active Power-Down Mode Entry and Exit after a Read Burst: RL = 4 (AL = 1, CL =3), BL = 4
note: Active Power-Down mode exit timing tXARD (“fast exit”) or tXARDS (“slow exit”) depends on the programmed
state in the MRS, address bit A12.
NOP
Activate
T0
T2
T1
CMD
NOP
Tn
Tn+1
CKE
Active
Power-Down
Entry
NOP
Act.PD 0
tIS
Tn+2
tIS
Active
Power-Down
Exit
Valid
Command
tXARD or
tXARDS *)
CK, CK
note: Active Power-Down mode exit timing tXARD (“fast exit”) or tXARDS (“slow exit”) depends on the programmed
state in the MRS, address bit A12.
NOP
READ
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
RL = 4
CL = 3
CMD
DQ
DQS,
DQS
NOP
Tn
Tn+1
CKE
AL = 1
Active
Power-Down
Entry
RL + BL/2
NOP
Act.PD 1
tIS
Tn+2
tIS
Active
Power-Down
Exit
Valid
Command
tXARD or
tXARDS *)
CK, CK
READ w/AP
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PDF描述 |
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