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参数资料
| 型号： | W19B320ATT9G |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件页数： | 48/53页 |
| 文件大小： | 479K |
| 代理商： | W19B320ATT9G |
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W19B320AT/B
- 52 -
13.2 48-Pin Standard Thin Small Outline Package
0.020
0.004
0.007
0.037
0.002
MIN.
0.60
Y
L
L1
c
0.50
0.10
0.70
0.21
MILLIMETER
A
A2
b
A1
0.95
0.17
0.05
Sym. MIN.
1.20
0.27
1.05
1.00
0.22
MAX.
NOM.
0.028
0.008
0.024
0.011
0.041
0.047
0.009
0.039
NOM.
INCH
MAX.
E
H
D
0
5
0
5
e
D
18.3
18.4
18.5
19.8
20.0
20.2
11.9
12.0
12.1
0.720 0.724 0.728
0.780 0.787 0.795
0.468 0.472 0.476
0.10
0.80
0.031
0.004
0.020
0.50
θ
e
1
48
b
E
D
Y
A1
A
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L
c
HD
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WE128K32-200HSC | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CHIP66 |
| WS512K32-20G4M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68 |
| WS512K32-55G4I | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68 |
| WPDE8M72V-70MDCT | 8M X 72 EDO DRAM MODULE, 70 ns, PDMA168 |
| WE512K8-150CIA | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CDIP32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W19B320B | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB-H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BB-M | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BT | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
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