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ZNBG3115Q20TA

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ZNBG3115Q20TA
深圳市新良宇电子有限公司
深圳市新良宇电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8323763213302457603
地址：福田区振兴路华匀大厦221室
56912
Diodes Incorporated
IC SPECIALTY ANALOG
23+
-
原装现货欢迎来电查询！

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ZNBG3115Q20TA 技术参数

ZNBG3115Q16TC 功能描述:MOSFET 3BIAS TONE H/V SWTCH 2.2V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNBG3113Q20TC 功能描述:MOSFET 3BIAS TONE H/V SWTCH 2.2V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNBG3010Q16TC 功能描述:MOSFET BIAS H/V SWITCH 2.2V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNBG3000Q16TC 功能描述:MOSFET 3BIAS GENERATOR 2.2V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNBG2000X10TC 功能描述:线性稳压器 - 标准 2 FET BIAS VD=2.2V Generator RoHS:否制造商:STMicroelectronics 输出类型: 极性: 输出电压:1.8 V 输出电流:150 mA 负载调节: 最大输入电压:5.5 V 线路调整率: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-5L ZNBG6000Q20TC ZNBG6001Q20TC ZNBG6005Q20TC ZNCL10IL ZNCL10R ZNCL10S ZNCL11 ZNCL3B ZNCL3R ZNCL926 ZN-DPS11C-S ZN-DPS11-S ZN-DPS15C-S ZN-DPS15-S ZN-DPX21-S ZN-DPX21-SA ZNH0060H ZNH0100H