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ZNBG3116Q16

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  • 制造商
  • ZETEX
  • 制造商全称
  • ZETEX
  • 功能描述
  • FET BIAS CONTROLLER WITH POLARISATION SWITCH AND TONE DETECTION
ZNBG3116Q16 技术参数
  • ZNBG3115Q20TC 功能描述:MOSFET 3BIAS TONE H/V SWTCH 2.2V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNBG3115Q16TC 功能描述:MOSFET 3BIAS TONE H/V SWTCH 2.2V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNBG3113Q20TC 功能描述:MOSFET 3BIAS TONE H/V SWTCH 2.2V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNBG3010Q16TC 功能描述:MOSFET BIAS H/V SWITCH 2.2V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNBG3000Q16TC 功能描述:MOSFET 3BIAS GENERATOR 2.2V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNBG6001Q20TC ZNBG6005Q20TC ZNCL10IL ZNCL10R ZNCL10S ZNCL11 ZNCL3B ZNCL3R ZNCL926 ZN-DPS11C-S ZN-DPS11-S ZN-DPS15C-S ZN-DPS15-S ZN-DPX21-S ZN-DPX21-SA ZNH0060H ZNH0100H ZNH0120H
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