ZXMN6A08E6TC

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

ZXMN6A08E6TC
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
82490
Diodes
SOT-23-6
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

ZXMN6A08E6TC
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Diodes Incorporated
SOT-26
17+
-
全新原装现货

ZXMN6A08E6TC
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ZETEX
SOT-23-6
最新批号
-
代理此型号.原装正品现货！

ZXMN6A08E6TC
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

ZXMN6A08E6TC
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
联系人：曹先生
电话：0755-239499810755-23037082
地址：深圳市福田区都会大厦B座29S
39000
ZETEX
SOT-23-6
1305+
-
原装现货库存

1/1页 40条/页共15条
1

您是不是要找： ZXMN6A08GTA ZXMN6A08KTC ZXMN6A09DN8TA ZXMN6A09DN8TC ZXMN6A09GTA ZXMN6A09KQTC ZXMN6A09KTC ZXMN6A10N8TA ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A08E6TC PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

ZXMN6A08E6TC PDF下载

功能描述
MOSFET 60V N-Chnl UMOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

ZXMN6A08E6TC 技术参数

ZXMN3G32DN8TA 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:472pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 ZXMN3F31DN8TA 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:608pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 ZXMN2A02X8TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 11A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1900pF @ 10V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:1 ZXMN2A01E6TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:303pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-23-6 标准包装:1 ZXMN2069FTA 功能描述:MOSFET N-CH SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 ZXMN6A11DN8TC ZXMN6A11GTA ZXMN6A11GTC ZXMN6A11ZTA ZXMN6A25DN8TA ZXMN6A25G ZXMN6A25GTA ZXMN6A25K ZXMN6A25KTC ZXMN6A25N8TA ZXMN7A11GTA ZXMN7A11KTC ZXMNS3BM832TA ZXMP10A13FQTA ZXMP10A13FTA ZXMP10A16KTC ZXMP10A17E6QTA ZXMP10A17E6TA