ZXN428D

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ZXN428D 技术参数

ZXMS6006SGTA 功能描述:MOSFET 60V N-CH INTELLIFET 100mOhm 2.8A 480mJ RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXMS6006DT8TA 功能描述:MOSFET 60V Dual N-Ch Mosfet 100mOhm 2.8A 210mJ RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXMS6006DGTA 功能描述:MOSFET 60V N-CH INTELLIFET 60V VDS Mosfet RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXMS6005SGTA 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH W ESD 60V 2A SOT223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W ESD, 60V, 2A, SOT223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W ESD, 60V, 2A, SOT223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Diodes Zetex 功能描述:Self Protected Low Side MOSFET SOT223 ZXMS6005DT8TA 功能描述:MOSFET MOSFET N CHANNEL INTELLIFET SM8 GREEN 1K RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXRD1050NQ16TA ZXRD1050PQ16TA ZXRE060AET5TA ZXRE060AFT4-7 ZXRE060AH5TA ZXRE060ET5TA ZXRE060H5TA ZXRE1004CFTA ZXRE1004CFTC ZXRE1004DFTA ZXRE1004DFTC ZXRE1004DN8TA ZXRE1004DR ZXRE1004DRSTOA ZXRE1004DRSTOB ZXRE1004DRSTZ ZXRE1004EFTA ZXRE1004EFTC