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ZXPHS-431+

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  • 天阳诚业科贸有限公司
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    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

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  • 深圳市雄盛鑫电子有限公司
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    联系人:黄莉莉 15986606941

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ZXPHS-431+ 技术参数
  • ZXNB4202JB16TC 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 SGLE LNB BIAS/CTRL 10V-22V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel ZXNB4201JA16TC 功能描述:MOSFET BIAS TONE GENERATOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXNB4200JA16TC 功能描述:MOSFET BIAS TONE GENERATOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXMS6006SGTA 功能描述:MOSFET 60V N-CH INTELLIFET 100mOhm 2.8A 480mJ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXMS6006DT8TA 功能描述:MOSFET 60V Dual N-Ch Mosfet 100mOhm 2.8A 210mJ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXRE060AFT4-7 ZXRE060AH5TA ZXRE060ET5TA ZXRE060H5TA ZXRE1004CFTA ZXRE1004CFTC ZXRE1004DFTA ZXRE1004DFTC ZXRE1004DN8TA ZXRE1004DR ZXRE1004DRSTOA ZXRE1004DRSTOB ZXRE1004DRSTZ ZXRE1004EFTA ZXRE1004EFTC ZXRE1004EN8TA ZXRE1004ER ZXRE1004ERSTOA
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