型号: | 015AZ11-Z |
厂商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
中文描述: | 东芝半导体硅外延平面型 |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 172K |
代理商: | 015AZ11-Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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015AZ11-X | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
015AZ11X | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
03H5716 | SPECIALTY TELECOM CIRCUIT, PQFP100 |
015AZ11Y | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
015AZ11Z | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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015AZ12 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
015AZ12X | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
015AZ12-X | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
015AZ12-X(TH3,F,T) | 功能描述:稳压二极管 12V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
015AZ12Y | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |