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参数资料
| 型号： | 015AZ12Z |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 中文描述： | 二极管外延硅平面型 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | 015AZ12Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 015AZ12 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ12-X | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ12-Y | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ12-Z | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 03K17R-001D3 | 0 MHz - 26500 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 015AZ12-Z | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ13-X(TH3,F,T) | 功能描述:稳压二极管 13V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 015AZ15-X(TH3,F,T) | 功能描述:稳压二极管 15V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 015AZ16-X(TH3,F,T) | 功能描述:稳压二极管 16V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 015AZ18-X(TH3,F,T) | 功能描述:稳压二极管 18V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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