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参数资料
| 型号： | 015AZ2.0-X |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 1.95 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ESC, 1-1G1A, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 496K |
| 代理商： | 015AZ2.0-X |
015AZ2.0~015AZ24
2007-11-01
2
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Zener
Voltage
Dynamic
Impedance
Knee Dynamic
Impedance
Reverse
Current
* VZ (V)
ZZ ()
ZZK ()
IR (μA)
Type No.
Min
Max
IZ
(mA)
Max
IZ
(mA)
Max
IZ
(mA)
Max
VR
(V)
X
1.85
2.05
015AZ2.0 **
Z
1.95
2.15
5
100
5
1000
0.5
120
0.5
X
2.05
2.26
015AZ2.2 **
Z
2.16
2.38
5
100
5
1000
0.5
120
1.0
X
2.28
2.50
015AZ2.4
Z
2.40
2.60
5
100
5
1000
0.5
120
1.0
X
2.50
2.75
015AZ2.7
Z
2.65
2.90
5
110
5
1000
0.5
120
1.0
X
2.80
3.05
015AZ3.0
Z
2.95
3.20
5
120
5
1000
0.5
50
1.0
X
3.10
3.35
015AZ3.3
Z
3.25
3.50
5
130
5
1000
0.5
20
1.0
X
3.40
3.65
015AZ3.6
Z
3.55
3.80
5
130
5
1000
0.5
10
1.0
X
3.70
3.97
015AZ3.9
Z
3.87
4.10
5
130
5
1000
0.5
10
1.0
X
4.00
4.23
Y
4.13
4.35
015AZ4.3
Z
4.25
4.50
5
130
5
1000
0.5
5
1.0
X
4.40
4.63
Y
4.53
4.76
015AZ4.7
Z
4.66
4.90
5
120
5
1000
0.5
5
1.0
X
4.80
5.07
Y
4.97
5.24
015AZ5.1
Z
5.14
5.40
5
70
5
1000
0.5
1
1.5
X
5.30
5.63
Y
5.43
5.81
015AZ5.6
Z
5.61
6.00
5
40
5
900
0.5
1
2.5
X
5.80
6.20
Y
6.00
6.39
015AZ6.2
Z
6.19
6.60
5
30
5
500
0.5
1
3.0
X
6.40
6.80
Y
6.60
7.02
015AZ6.8
Z
6.82
7.20
5
25
5
150
0.5
5.0
*
: Test time: t = 30 ms
**
: Product by order.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 015AZ22-X(TH3,F,T) | 功能描述:稳压二极管 22V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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| 015AZ24-X(TH3,F,T) | 功能描述:稳压二极管 24V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 015AZ3.0 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
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