- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录22565 > 015AZ2.7X (Toshiba Corporation) Diode Silicon Epitaxial Planar Type PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 015AZ2.7X |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 中文描述： | 二极管外延硅平面型 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | 015AZ2.7X |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 015AZ2.7Z | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 03P4MGC | 0.8 A, 400 V, SCR, TO-92 |
| 03P5MGC | 0.8 A, 500 V, SCR, TO-92 |
| 03P4MG | 0.47 A, 400 V, SCR |
| 03P6MG | 0.47 A, 600 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 015AZ3.0 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ3.0X | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ3.0-X | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ3.0-X(TH3,F,T | 功能描述:稳压二极管 3.0volts 150mW 2Pin RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 015AZ3.0Z | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。