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参数资料
| 型号： | 015AZ5.1Z |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 中文描述： | 二极管外延硅平面型 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | 015AZ5.1Z |
015AZ2.0~015AZ12
2001-10-30
1
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
015AZ2.0~015AZ12
Constant Voltage Regulation Applications
l Small package
l Nominal voltage tolerance about ±2.5%
(2.0V~12V)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Power dissipation
P*
150
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~125
°C
* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,
Pad dimension of 4 × 4mm.
Electrical Characteristics
(See Page 2~3)
Marking
Example 1: 015AZ12-
×
Example 2: 015AZ12-
×
Pin Assignment (top view)
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
1-1G1A
Weight: 1.4 mg
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PDF描述 |
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| 04-001-152FB | INTERCONNECTION DEVICE |
| 09-01.25-152FB | INTERCONNECTION DEVICE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 015AZ6.2Y | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
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