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参数资料
| 型号： | 015AZ8.2Y |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 中文描述： | 二极管外延硅平面型 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | 015AZ8.2Y |
015AZ2.0~015AZ12
2001-10-30
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 015AZ8.2Z | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 06-2.5-103TW | INTERCONNECTION DEVICE |
| 08-2.5-110 | INTERCONNECTION DEVICE |
| 04-2.5-104 | INTERCONNECTION DEVICE |
| 06-2.0-105ST | INTERCONNECTION DEVICE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 015AZ9.1 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ9.1X | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ9.1-X | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ9.1-X(TH3,F,T | 功能描述:稳压二极管 9.1volts 150mW 2Pin RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 015AZ9.1Y | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
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