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参数资料
| 型号： | 015AZ9.1Y |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 中文描述： | 二极管外延硅平面型 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | 015AZ9.1Y |
015AZ2.0~015AZ12
2001-10-30
1
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
015AZ2.0~015AZ12
Constant Voltage Regulation Applications
l Small package
l Nominal voltage tolerance about ±2.5%
(2.0V~12V)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Power dissipation
P*
150
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~125
°C
* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,
Pad dimension of 4 × 4mm.
Electrical Characteristics
(See Page 2~3)
Marking
Example 1: 015AZ12-
×
Example 2: 015AZ12-
×
Pin Assignment (top view)
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
1-1G1A
Weight: 1.4 mg
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 04-2.5-109 | INTERCONNECTION DEVICE |
| 015AZ9.1Z | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 06-002-104F | INTERCONNECTION DEVICE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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