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参数资料
| 型号： | 015AZ9.1Z |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 中文描述： | 二极管外延硅平面型 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | 015AZ9.1Z |
015AZ2.0~015AZ12
2001-10-30
3
Electrical Characteristics (Ta = 25C)
Zener
Voltage
Dynamic
Impedance
Knee Dynamic
Impedance
Reverse
Current
* VZ (V)
ZZ()
ZZK ()IR (mA)
Type No.
Min
Max
IZ
(mA)
Max
IZ
(mA)
Max
IZ
(mA)
Max
VR
(V)
X
7.00
7.43
Y
7.23
7.66
015AZ7.5
Z
7.46
7.90
5
23
5
120
0.5
6.0
X
7.70
8.16
Y
7.96
8.43
015AZ8.2
Z
8.23
8.70
5
20
5
120
0.5
6.5
X
8.50
9.00
Y
8.80
9.30
015AZ9.1
Z
9.10
9.60
5
18
5
120
0.5
7.0
X
9.40
9.93
Y
9.73
10.26
015AZ10
Z
10.06 10.60
5
15
5
120
0.5
8.0
X
10.40 10.98
Y
10.73 11.26
015AZ11
Z
11.06 11.60
5
15
5
120
0.5
8.5
X
11.40 11.93
Y
11.73 12.26
015AZ12
Z
12.06 12.60
5
15
5
110
0.5
9.0
*
: Test time: t = 30ms
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