参数资料
型号: 03-XC2151
厂商: TOREX SEMICONDUCTOR LTD.
英文描述: CMOS IC
中文描述: CMOS集成电路
文件页数: 1/1页
文件大小: 85K
代理商: 03-XC2151
11.OSC系列 ________________________________________________________________________________________________
66
XC2151系列 
晶振用CMOSIC
概  要
特  点
XC2151系列是以高频、低消耗电流工作的晶振用CMOS集成电
路,内置振荡电路、分频电路、振荡用电容器和放大器反馈电
阻。
因此,只需晶振和本集成电路就可组成振荡电路。
可从主时钟f0/1、f0/2、f0/4和f0/8的分频输出中选择1种输
出。
缓冲器为3态、(逗号)扇出为10TTL。
高精度
:内置振荡用电容器(TYP16pF或在10~20pF范
围内设定)
放大器部分内置反馈电阻(TYP5M
或在1.6k
~8.4k
范围内设定)
工作频率
:适用于4MHz~70MHz
分频因子(M) :能够从f0/1、f0/2、f0/4、f0/8中选择
输出
:3态、 扇出10TTL
工作电压范围 :4.0V~6.0V
低消耗电流
:附待机功能
采用CMOS构造达到低消耗电流
低成本
:外置晶振就能构成振荡电路,可降低成本
超小型封装
:SOT-26(150mW)微型模压
引脚排列
引脚说明
1
SOT-26
(TOPVIEW)
XT
VDD
Q0
VSS
INH
符号
功  能
VDD
电  源
VSS
接  地
XT
振荡器连接(输入)
XT/
振荡器连接(输出)
INH/
控制(内置上拉电阻)
Qo
输  出
电路框图
(1) XC2151A系列
(2) XC2151T/C系列
VDD
QO
VSS
1/2
RUP
XT
INH
Rf
Cg
Cd
VDD
QO
VSS
RUP
XT
INH
Rf
Cg
Cd
产品型号定义
XC2151××××××
    ↑↑↑↑↑↑↑↑
    abcdefgh
符 号
内   容
符号
内   容
表示电源电压。
5:5V
表示待机模式和分频因子。
1:f0/1(CE型) 2:f0/2(CE型)
4:f0/4(CE型) 8:f0/8(CE型)
5:f0/1(OE型)
表示产品系列。
1:大输出用
基频、谐波兼用
表示基频/谐波用以及Rf、Cg、Cd。
表示工作电平。
A:CMOS(VDD/2)和TTL
C:CMOS(VDD/2)
T:TTL
表示封装。
M:SOT-26
表示输出能力
5:10TTL
表示包装形式
R:凹凸带 标准插入
L:凹凸带 反向插入
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