1N3746

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES

1N3746 技术参数

1N3744R 功能描述:DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 制造商:powerex inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1400V（1.4kV）电流 - 平均整流（Io）:250A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 250A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AB，DO-9，接线柱供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-40°C ~ 200°C 标准包装:1 1N3744 功能描述:DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 制造商:powerex inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1400V（1.4kV）电流 - 平均整流（Io）:250A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 250A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AB，DO-9，接线柱供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-40°C ~ 200°C 标准包装:1 1N3743R G BK G 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:250A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 250A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:7mA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AB，DO-9，接线柱供应商器件封装:DO-205AB，DO-9 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 1N3743 G R G 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:250A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 250A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:7mA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AB，DO-9，接线柱供应商器件封装:DO-205AB，DO-9 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 1N3673AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 12A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:5 1N3821A-1 1N3821AUR-1 1N3822A-1 1N3822AUR-1 1N3823A-1 1N3823AUR-1 1N3824A-1 1N3824AUR-1 1N3825A-1 1N3825AUR-1 1N3826A-1 1N3826AUR-1 1N3827A-1 1N3827AUR-1 1N3828A-1 1N3879 1N3879R 1N3880