1N4614-1

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N4614-1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
3000
微芯
QFP
20+
-
原装现货

1N4614-1JTXV
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
7
MSC
-
公司现货,只做原装！

1N4614-1JANTXV
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
0
97
NA
-
全新原装！优势库存热卖中！

1N4614-1
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1
MICROSEMI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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1

您是不是要找： 1N4614UR 1N4615 BK 1N4615 TR 1N4615-1 1N4615UR 1N4616 BK 1N4616 TR 1N4616-1 1N4616UR

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Zener Single 1.8V 5% 480mW 2-Pin DO-35
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER SGL 1.8V 5% 500MW 2PIN DO-35 - Bulk

1N4614-1 技术参数

1N4614 TR 功能描述:DIODE ZENER 1.8V 250MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:1.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:7.5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N4614 BK 功能描述:DIODE ZENER 1.8V 250MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:1.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:7.5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N4608 功能描述:DIODE SW 85V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:85V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 400mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:10ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4607 功能描述:DIODE SW 85V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:85V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 400mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:10ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 1N459TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 175V 不同?Vr，F 时的电容:6pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 1N4617 BK 1N4617 TR 1N4617-1 1N4617UR 1N4618 BK 1N4618 TR 1N4618-1 1N4618UR 1N4619 BK 1N4619 TR 1N4619-1 1N4619UR 1N4620 BK 1N4620 TR 1N4620-1 1N4620UR 1N4621 BK 1N4621 TR