1N4757A-01

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1N4757A-01 技术参数

1N4757A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:6,000 1N4757A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:3,000 1N4757A TR 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4757A R1G 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:5,000 1N4757A R0G 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:5,000 1N4757A-T 1N4757ATA 1N4757A-TAP 1N4757A-TP 1N4757A-TR 1N4757AUR 1N4757CE3/TR13 1N4757CP/TR12 1N4757CP/TR8 1N4757CPE3/TR12 1N4757CPE3/TR8 1N4757E3/TR13 1N4757G A0G 1N4757G R0G 1N4757P/TR12 1N4757P/TR8 1N4757PE3/TR12 1N4757PE3/TR8