1N4757A-TR/BKN

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制造商
Vishay Semiconductors
功能描述
ZENER-DIODE 1.0W, 5%, DO-41, CUT TAPE

1N4757A-TR/BKN 技术参数

1N4757A-TR 功能描述:DIODE ZENER 51V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4757A-TP 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO41G 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41G 标准包装:1 1N4757A-TAP 功能描述:DIODE ZENER 51V 1.31W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.31W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 1N4757ATA 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 1N4757A-T 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4757P/TR12 1N4757P/TR8 1N4757PE3/TR12 1N4757PE3/TR8 1N4758 G 1N4758A 1N4758A A0G 1N4758A B0G 1N4758A BK 1N4758A G 1N4758A R0G 1N4758A R1G 1N4758A TR 1N4758A_T50A 1N4758A_T50R 1N4758AE3/TR13 1N4758AHA0G 1N4758AHB0G