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1N5062GP-E3/1

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1N5062GP-E3/1 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 整流器 1.0 Amp 800 Volt
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
1N5062GP-E3/1 技术参数
  • 1N5061TR 功能描述:DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:雪崩 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.15V @ 2.5A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:40pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:SOD-57,轴向 供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5061TAP 功能描述:DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 二极管类型:雪崩 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.15V @ 2.5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:40pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:SOD-57,轴向 供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 1N5061GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:15pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 供应商器件封装:DO-204AC(DO-15) 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:4,000 1N5061GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:15pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 供应商器件封装:DO-204AC(DO-15) 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5061 TR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:15pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R-1(轴向) 供应商器件封装:GPR-1A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5184 1N5186 1N5186US 1N5187 1N5187US 1N5188 1N5188US 1N5189 1N5189US 1N5190 1N5194 1N5194UR 1N5195 1N5195UR 1N5196 1N5196UR 1N5221A 1N5221A (DO-35)
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