1N5247B-TAP

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说明
操作

1N5247B-TAP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4556
VISHAY
DO-35
1425
-
原装正品，现货库存！

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功能描述
稳压二极管 17 Volt 0.5W 5%
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N5247B-TAP 技术参数

1N5247BTA 功能描述:DIODE ZENER 17V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:17V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 12.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5247B-T 功能描述:DIODE ZENER 17V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:17V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 13V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5247B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 17V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:17V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 13V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5247B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 17V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:17V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 13V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5247B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 17V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:17V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 13V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N5248B 1N5248B (DO-35) 1N5248B A0G 1N5248B BK 1N5248B TR 1N5248B_S00Z 1N5248B_T50A 1N5248B_T50R 1N5248BDO35 1N5248B-G 1N5248B-T 1N5248BTA 1N5248B-TAP 1N5248B-TP 1N5248BTR 1N5248B-TR 1N5248BUR-1 1N5248C