1N5249B-TP

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N5249B-TP
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品质量保障电话010-62104...

1N5249B-TP
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
28999
Micro
NA
19+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

1N5249B-TP
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
7087
Micro Commercial Co
DO-204AH，DO-35，轴向
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

1N5249B-TP
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
10000
MICRO COMMERCIAL COMPONEN
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

1/1页 40条/页共10条
1

您是不是要找： 1N5249BTR 1N5249B-TR 1N5249BUR-1 1N5249C-TAP 1N5249C-TR 1N5249TA 1N5250A (DO-35) 1N5250B 1N5250B (DO-35)

1N5249B-TP PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

1N5249B-TP PDF下载

功能描述
稳压二极管 500mW 19V
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N5249B-TP 技术参数

1N5249B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 19V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:19V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:23 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5249BTA 功能描述:DIODE ZENER 19V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:19V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:23 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 13.3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5249B-T 功能描述:DIODE ZENER 19V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:19V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:23 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5249B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 19V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:19V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:23 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5249B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 19V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:19V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:23 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5250B A0G 1N5250B BK 1N5250B TR 1N5250B_S00Z 1N5250B_T50A 1N5250B_T50R 1N5250B-T 1N5250BTA 1N5250B-TAP 1N5250B-TP 1N5250BTR 1N5250B-TR 1N5250BUR-1 1N5250C-TAP 1N5250C-TR 1N5250TA 1N5251A 1N5251A (DO-35)