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1N5248B-TAP(NOPB)

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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  • 永利电子元器件深圳有限公司
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1N5248B-TAP(NOPB) 技术参数
  • 1N5248B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):21 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5248BTA 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):21 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 13.3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5248B-T 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):21 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5248B-G 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):21 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5248BDO35 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):21 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5249A (DO-35) 1N5249B 1N5249B (DO-35) 1N5249B A0G 1N5249B BK 1N5249B TR 1N5249B_S00Z 1N5249B_T50A 1N5249B_T50R 1N5249B-T 1N5249BTA 1N5249B-TAP 1N5249B-TP 1N5249BTR 1N5249B-TR 1N5249BUR-1 1N5249C-TAP 1N5249C-TR
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