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1N5248BRL

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  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

    联系人:朱平

    电话:0755-83229772-83202753

    地址:办公地址 帮我改成 深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室

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  • MOTOROLA

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 制造商
  • Freescale Semiconductor
  • 功能描述
1N5248BRL 技术参数
  • 1N5248B-G 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):21 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5248BDO35 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):21 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5248B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):21 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5248B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):21 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5248B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):21 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N5248C-TR 1N5248TA 1N5249A 1N5249A (DO-35) 1N5249B 1N5249B (DO-35) 1N5249B A0G 1N5249B BK 1N5249B TR 1N5249B_S00Z 1N5249B_T50A 1N5249B_T50R 1N5249B-T 1N5249BTA 1N5249B-TAP 1N5249B-TP 1N5249BTR 1N5249B-TR
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