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1N5250DTA

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1N5250DTA 技术参数
  • 1N5250C-TR 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 15V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5250C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 15V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5250BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N5250B-TR 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 15V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5250BTR 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 15V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5251B_T50R 1N5251BDO35 1N5251B-T 1N5251BTA 1N5251B-TAP 1N5251B-TP 1N5251BTR 1N5251B-TR 1N5251BUR-1 1N5251C-TAP 1N5251C-TR 1N5251TA 1N5252A 1N5252A (DO-35) 1N5252B 1N5252B (DO-35) 1N5252B A0G 1N5252B BK
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