1N5251BTAP

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制造商
VISHAY SEMICONDUCTOR
功能描述
Diode Zener Single 22V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo

1N5251BTAP 技术参数

1N5251BTA 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 15V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5251B-T 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 17V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5251BDO35 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 17V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5251B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 17V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5251B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 17V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5252A (DO-35) 1N5252B 1N5252B (DO-35) 1N5252B A0G 1N5252B BK 1N5252B TR 1N5252B_S00Z 1N5252B_T50R 1N5252BDO35E3 1N5252B-T 1N5252BTA 1N5252B-TAP 1N5252B-TP 1N5252BTR 1N5252B-TR 1N5252C-TAP 1N5252C-TR 1N5252TA