您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > 1字母型号搜索 > 1字母第5274页 >

1N5406GP-TP

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
1N5406GP-TP PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
  • 制造商
  • micro commercial co
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 在售
  • 二极管类型
  • 标准
  • 电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 600V
  • 电流 - 平均整流(Io)
  • 3A
  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf
  • 1.1V @ 3A
  • 速度
  • 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
  • 5μA @ 600V
  • 不同?Vr,F 时的电容
  • 40pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • DO-201AD,轴向
  • 供应商器件封装
  • DO-201AD
  • 工作温度 - 结
  • -55°C ~ 150°C
  • 标准包装
  • 1,200
1N5406GP-TP 技术参数
  • 1N5406GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:30pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-50°C ~ 150°C 标准包装:1,400 1N5406GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,250 1N5406GHB0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 1N5406GHA0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 1N5406G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,250 1N5407-E3/51 1N5407-E3/54 1N5407-E3/73 1N5407G 1N5407-G 1N5407G A0G 1N5407G B0G 1N5407G R0G 1N5407GHA0G 1N5407GHB0G 1N5407GHR0G 1N5407GP-E3/54 1N5407GP-E3/73 1N5407GP-TP 1N5407G-T 1N5407RL 1N5407RLG 1N5407-T
配单专家

在采购1N5406GP-TP进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买1N5406GP-TP产品风险,建议您在购买1N5406GP-TP相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的1N5406GP-TP信息由会员自行提供,1N5406GP-TP内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号