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1N5408G A0G

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 1N5408G A0G
    1N5408G A0G

    1N5408G A0G

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • Taiwan Semiconductor(台湾半导

  • DO-205AD

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
1N5408G A0G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
  • 制造商
  • taiwan semiconductor corporation
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 在售
  • 二极管类型
  • 标准
  • 电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 1000V
  • 电流 - 平均整流(Io)
  • 3A
  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf
  • 1V @ 3A
  • 速度
  • 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
  • 5μA @ 1000V
  • 不同?Vr,F 时的电容
  • 25pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • DO-201AD,轴向
  • 供应商器件封装
  • DO-201AD
  • 工作温度 - 结
  • -55°C ~ 150°C
  • 标准包装
  • 1
1N5408G A0G 技术参数
  • 1N5408-G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):950mV @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-27(DO-201AD) 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5408G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:500 1N5408-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:30pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-50°C ~ 150°C 标准包装:1 1N5408-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:30pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-50°C ~ 150°C 标准包装:1 1N5408-E3/51 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:30pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-50°C ~ 150°C 标准包装:1,500 1N5408RLG 1N5408-T 1N5408TA 1N5408-TP 1N5415 1N5415US 1N5416 1N5416US 1N5417 1N5417C.TR 1N5417-TAP 1N5417TR 1N5417US 1N5418 1N5418C.TR 1N5418-TAP 1N5418TR 1N5418US
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