1N5420/4

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功能描述
整流器 3.0 Amp 600 Volt
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

1N5420/4 技术参数

1N5420 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5419US 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 500V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5419E3 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 500V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5419 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 500V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5418US 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5520BUR-1 1N5521B 1N5521B (DO35) 1N5521BUR-1 1N5522B 1N5522B (DO35) 1N5522BUR-1 1N5523B-1 1N5523BUR-1 1N5524B 1N5524B (DO35) 1N5525B 1N5525B (DO35) 1N5525B-1 1N5526B (DO35) 1N5526BUR-1 1N5527B 1N5527B (DO35)