1N5802JANTXV

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述

1N5802JANTXV 技术参数

1N5802 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5774 功能描述:TVS DIODE 14CFLATPACK 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售类型:转向装置（轨至轨）单向通道:8 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:- 电压 - 击穿（最小值）:- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:以太网不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:14-扁平封装供应商器件封装:14-扁平封装标准包装:1 1N5772 功能描述:TVS DIODE 10CFLATPACK 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售类型:转向装置（轨至轨）单向通道:8 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:- 电压 - 击穿（最小值）:- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:以太网不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:10-CFlatPack 供应商器件封装:10-CFlatPack 标准包装:1 1N5770 功能描述:TVS DIODE 10CFP 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售类型:转向装置（轨至轨）单向通道:8 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:- 电压 - 击穿（最小值）:- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:以太网不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:10-CFlatPack 供应商器件封装:10-CFlatPack 标准包装:1 1N5768 功能描述:TVS DIODE 10CFP 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售类型:转向装置（轨至轨）单向通道:8 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:- 电压 - 击穿（最小值）:- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:以太网不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:10-CFlatPack 供应商器件封装:10-CFlatPack 标准包装:1 1N5806TR 1N5806US 1N5806US/TR 1N5806USE3 1N5806USE3/TR 1N5807 1N5807US 1N5808 1N5809 1N5809/TR 1N5809US 1N5809US.TR 1N5811 1N5811C.TR 1N5811TR 1N5811US 1N5811US/TR 1N5812