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1N5901

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1N5901 技术参数
  • 1N5834R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基,反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):590mV @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20mA @ 10V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 1N5834 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):590mV @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20mA @ 10V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 1N5833R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基,反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 电流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):550mV @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20mA @ 10V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 1N5833 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 电流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):550mV @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20mA @ 10V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 1N5832R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 20V DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基,反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):20V 电流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):520mV @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20mA @ 10V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 1N5913AP/TR8 1N5913APE3/TR12 1N5913APE3/TR8 1N5913B 1N5913B G 1N5913BE3/TR13 1N5913BG 1N5913BP/TR12 1N5913BP/TR8 1N5913BPE3/TR12 1N5913BPE3/TR8 1N5913BRL 1N5913BRLG 1N5913BUR-1 1N5913C 1N5913C G 1N5913CE3/TR13 1N5913CP/TR12
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