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1N6451

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1N6451 技术参数
  • 1N6392 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io):54A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):820mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 45V 不同?Vr,F 时的电容:3000pF @ 5V,1MHz 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 1N6391 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N6386HE3_A/D 功能描述:TVS DIODE 18VWM 25.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101,TransZorb? 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):18V 电压 - 击穿(最小值):21.2V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:25.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):50A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,000 1N6386HE3_A/C 功能描述:TVS DIODE 18VWM 25.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101,TransZorb? 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):18V 电压 - 击穿(最小值):21.2V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:25.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):50A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,400 1N6386HE3/73 功能描述:TVS DIODE 18VWM 25.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101,TransZorb? 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):18V 电压 - 击穿(最小值):21.2V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:25.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):50A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,000 1N6463 1N6463US 1N6464 1N6464US 1N6465 1N6465US 1N6466 1N6466US 1N6467 1N6467US 1N6468 1N6468US 1N6469 1N6469US 1N6470 1N6470US 1N6471 1N647-1
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