1SS389/1N5819

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1SS389/1N5819 技术参数

1SS389,L3F 功能描述:DIODE GEN PURP 10V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:10V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:500mV @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 10V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS389,H3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:生命周期结束二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 10V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS388-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 40V 100MA SOD523 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 10V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:8,000 1SS387CT,L3F 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1.6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:0.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:CST2 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 1SS387,L3F 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS399TE85LF 1SS400 RJG 1SS400 RKG 1SS400 RSG 1SS400CSFHT2RA 1SS400CST2R 1SS400CST2RA 1SS400-G 1SS400GT2R 1SS400SMT2R 1SS400T1 1SS400T1G 1SS400T5G 1SS400TE61 1SS400-TP 1SS401(TE85L,F) 1SS402TE85LF 1SS403,H3F