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1N5350BRL

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  • 功能描述
  • 稳压二极管 13V 5W
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齐纳电压
  • 12 V
  • 电压容差
  • 5 %
  • 电压温度系数
  • 0.075 % / K
  • 齐纳电流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄电流
  • 3 uA
  • 最大齐纳阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-214AC
  • 封装
  • Reel
1N5350BRL 技术参数
  • 1N5350BG 功能描述:DIODE ZENER 13V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 9.9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1,000 1N5350BE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 13V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 9.4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5350BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 13V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 9.4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 1N5350BE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 13V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 9.4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5350B/TR8 功能描述:DIODE ZENER 13V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 9.4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5350E3/TR8 1N5351/TR12 1N5351/TR8 1N5351A/TR12 1N5351A/TR8 1N5351AE3/TR12 1N5351AE3/TR13 1N5351AE3/TR8 1N5351B 1N5351B/TR12 1N5351B/TR8 1N5351BE3/TR12 1N5351BE3/TR13 1N5351BE3/TR8 1N5351BG 1N5351BRL 1N5351BRLG 1N5351B-TP
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