1N5908

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功能描述
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 Transil Protection
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
极性
Bidirectional
工作电压
击穿电压
58.9 V
钳位电压
77.4 V
峰值浪涌电流
38.8 A
系列
封装 / 箱体
DO-214AB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C

1N5908 技术参数

1N5907 功能描述:TVS DIODE 5VWM 8.5VC DO-13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:8.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:120A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5834R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:肖特基，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:590mV @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20mA @ 10V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 1N5834 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:590mV @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20mA @ 10V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 1N5833R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:肖特基，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:550mV @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20mA @ 10V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 1N5833 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:550mV @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20mA @ 10V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 1N5913APE3/TR8 1N5913B 1N5913B G 1N5913BE3/TR13 1N5913BG 1N5913BP/TR12 1N5913BP/TR8 1N5913BPE3/TR12 1N5913BPE3/TR8 1N5913BRL 1N5913BRLG 1N5913BUR-1 1N5913C 1N5913C G 1N5913CE3/TR13 1N5913CP/TR12 1N5913CP/TR8 1N5913CPE3/TR12