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参数资料
| 型号： | 10E8TR |
| 厂商： | NIHON INTER ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | 10E8TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 10E6 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 10EF1TA1B2 | 0.95 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| 10ETF02STRL | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 10E9S8F012JB4E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Thick Film Chip Resistors |
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| 10E9S8F012JT4E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Thick Film Chip Resistors |
| 10E9S8G012JB4E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Thick Film Chip Resistors |
| 10E9S8G012JC4E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Thick Film Chip Resistors |
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