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参数资料
| 型号： | 10ETF02 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 217K |
| 代理商： | 10ETF02 |
3
10ETF.. QUIET
IR Series
Bulletin I2137 rev. B 10/00
T
J
Max.JunctionTemperatureRange
- 40 to 150
°C
Tstg Max.StorageTemperatureRange
- 40 to 150
°C
R
thJC Max. Thermal Resistance Junction
1.5
°C/W
DCoperation
to Case
R
thJA Max. Thermal Resistance Junction
62
°C/W
toAmbient
R
thCS Typical Thermal Resistance, Case to
0.5
°C/W
Mounting surface , smooth and greased
Heatsink
wt
ApproximateWeight
2 (0.07)
g (oz.)
T
MountingTorque
Min.
6 (5)
Max.
12 (10)
Case Style
TO-220AC
JEDEC
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
10ETF..
Units
Conditions
Kg-cm
(Ibf-in)
Fig. 1 - Current Rating Characteristics
Fig. 2 - Current Rating Characteristics
Fig. 3 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 4 - Forward Power Loss Characteristics
12 0
12 5
13 0
13 5
14 0
14 5
15 0
02
46
8
10
12
30
60
90
120
180
M
a
x
imu
m
A
llo
w
a
b
le
C
a
se
Te
m
p
e
ra
tu
re
(
C
)
Co nd uc tio n A ng le
A verag e Forw a rd C urrent (A)
10ETF.. Series
R
(D C ) = 1.5 C /W
thJ C
12 0
12 5
13 0
13 5
14 0
14 5
15 0
024
68
1 0
1 2
1 4
16
DC
30
60
90
12 0
180
Ma
x
imu
m
A
llo
w
a
b
le
C
a
se
T
e
m
p
e
ra
tu
re
(
C
)
Co nd u c tion P e rio d
A verag e Forw ard C urren t (A)
10ETF.. Se rie s
R
(D C ) = 1.5 C / W
thJ C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
024
6
8
1 0
A verag e Forw ard C urren t (A )
RM S Lim it
Ma
x
imu
m
A
v
e
ra
g
e
F
o
rw
a
rd
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
Co nd uction A ng le
18 0
12 0
90
60
30
10E TF.. Se rie s
T = 150 C
J
0
4
8
12
16
20
04
8
1 2
1 6
DC
180
120
90
60
30
A vera g e Forw a rd C u rren t (A)
RM S Lim it
Ma
x
imu
m
A
v
e
ra
g
e
F
o
rw
a
rd
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
C o nd uc tion P e riod
10ETF .. Se rie s
T = 150 C
J
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 10ETF04 | 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 10ETS16FP | 10 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 10GWJ2C48C | 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10KF10B | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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参数描述 |
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