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参数资料
| 型号： | 10ETF02STRL |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | D2PAK-3 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | 10ETF02STRL |
4
10ETF..S QUIET
IR Series
I2140 rev. A 12/99
www.irf.com
Fig. 8 - Recovery Time Characteristics, T
J
= 25°C
Fig. 9 - Recovery Time Characteristics, T
J
=150°C
Fig.7-ForwardVoltageDropCharacteristics
Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
40
60
80
100
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140
160
1
10
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N u m b er O f Equ a l A m p li tude Ha lf C y cle Cu r rent Pu ls es (N )
In itia l T = 1 5 0°C
@ 60 H z 0.0083 s
@ 50 H z 0.0100 s
J
At Any Ra te d L o ad C o n ditio n And W ith
R ate d V
A pp lie d Fo llo w in g S urg e .
RRM
1 0 ETF..S Series
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Pulse Train Du ration (s )
In itia l T
= 1 5 0 °C
N o V olta ge R ea p plied
R ated V
R ea p plied
RR M
Vers u s Pu lse Tr a in D ur atio n.
M axim um N o n Re p e titive Su rg e C urre n t
J
1 0 E TF..S Series
1
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10 0
0.511.5
22 .5
3
T = 2 5 °C
J
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A
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In stantan eous Forw ard Volt ag e (V )
T = 150 °C
J
1 0 E TF. .S Ser ies
0
0. 05
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R a t e O f Fa ll O f Fo r w a rd C u rre n t - d i/d t (A / s)
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= 2 0 A
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1 0 ETF..S Ser ie s
T = 25 ° C
J
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(
s)
Rate Of Fall Of Forward Current - di/dt (A/ s)
5 A
1 A
I
= 2 0 A
FM
2 A
1 0 E TF..S Series
T = 150 °C
J
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PDF描述 |
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