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参数资料
| 型号： | 10ETS12S |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | SMD-220, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | 10ETS12S |
2
10ETS.., 10ETS..S SAFE
IR Series
Bulletin I2121 rev. C 12/01
www.irf.com
I
F(AV) Max. Average Forward Current
10
A
@ T
C = 105° C, 180° conduction half sine wave
I
FSM
Max.PeakOneCycleNon-Repetitive
170
10ms Sine pulse, rated VRRMapplied
SurgeCurrent
200
10msSine pulse,novoltagereapplied
I2t
Max. I2t for fusing
130
10ms Sine pulse, rated VRRMapplied
145
10msSinepulse,novoltagereapplied
I2
√t Max. I2√t for fusing
1450
A2
√s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
Part Number
V
RRM , maximum
V
RSM , maximum non repetitive
I
RRM
peak reverse voltage
150°C
VV
mA
10ETS08, 10ETS08S
800
900
0.5
10ETS12, 10ETS12S
1200
1300
Voltage Ratings
T
J
Max. Junction Temperature Range
- 40 to 150
°C
T
stg
Max. Storage Temperature Range
- 40 to 150
°C
R
thJC Max. Thermal Resistance Junction
2.5
°C/W
DCoperation
to Case
R
thJA Max. Thermal Resistance Junction
62
°C/W
to Ambient (PCB Mount)*
T
s
SolderingTemperature
240
°C
wt
Approximate Weight
2 (0.07)
g(oz.)
CaseStyle
TO-220AC, D2Pak (SMD-220)
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
10ETS..
Units
Conditions
Absolute Maximum Ratings
Electrical Specifications
Parameters
10ETS..
Units
Conditions
A
A2s
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
1.1
V
@ 10A, T
J = 25°C
r
t
Forward slope resistance
20
m
VF(TO) Threshold voltage
0.82
V
I
RM
Max. Reverse Leakage Current
0.05
T
J =
25 °C
0.50
TJ = 150 °C
Parameters
10ETS..
Units
Conditions
T
J =
150°C
V
R = rated VRRM
mA
* When mounted on 1" square (650mm2) PCB of FR-4 or G-10 material 4 oz (140m) copper 40°C/W
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 10ETS12STRR | 10 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10ETS16STRL | 10 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10ETS16STRR | 10 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10EZ5.1 | 5.1 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-220AB |
| 10EZ9.1 | 9.1 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 10ETS12SPBF | 功能描述:DIODE STD REC 1200V 10A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 10ETS12STRL | 功能描述:整流器 1200 Volt 10 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 10ETS12STRLPBF | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:x |
| 10ETS12STRR | 功能描述:整流器 1200 Volt 10 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 10ETS12STRRPBF | 制造商:INTERPOINT 制造商全称:INTERPOINT 功能描述:INPUT RECTIFIER DIODE Lead-Free ("PbF" suffix) |
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